场效应管开关电路，场效应管开关电路图

其实场效应管开关电路的问题并不复杂，但是又很多的朋友都不太了解场效应管开关电路图，因此呢，今天小编就来为大家分享场效应管开关电路的一些知识，希望可以帮助到大家，下面我们一起来看看这个问题的分析吧！

场效应管的保护电路1，这种保护电路，一般在开关电源开关管上常用也有一些继电器上用之。

2，这个回路是消除MOS在连接一个电感，或是变压器，在开关状态下产生的反电动势。避免反电动势高的电压将MOS管损坏，简单点说就是把电动势放电。

3，这个是场效应管，但不是PNP的场效应管是一颗N通道耗尽型场效应管（除非符号画错）

4.鉴于电源电路存在一些不稳定因素，而设计用来防止此类不稳定因素影响电路效果的回路称作保护电路。比如有过流保护、过压保护、过热保护、空载保护、短路保护等。

场效应管是不是开关管

场效应管和开关管是不一样的，它们分别为：

开关三极管的外形与普通三极管外形相同，它工作于截止区和饱和区，相当于电路的切断和导通。由于它具有完成断路和接通的作用，被广泛应用于各种开关电路中，如常用的开关电源电路、驱动电路、高频振荡电路、模数转换电路、脉冲电路及输出电路等。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

怎么使用场效应管做开关

方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。

方案2用N沟道场管，IRF640N可行。

两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。

向左转|向右转

场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。举个例子:做一个场效应管的的开关电路，控制25w24v的电磁铁，电源直流24v，信号电压8v，最低1，7v，信号和输出都是两个，一个离合，一个刹车，交替运行每秒大约5次。方法:1，7至8V的信号电压通过限流电阻接至三极管基极，三极管集电极触发由CD4013数字集成电路电路组成的单稳态电路，数字电路4013的输出端Q和Q非分别驱动2个场效应管，二个效应管均可驱动电磁铁线圈，使离合，刹车交替进行，选取合适的单稳态电阻和电容元件可以使离合，刹车每秒1次以上。

场效应管电压控制元件，仅仅在开关时候需要从栅极吸收或者释放电流，因此驱动损耗较小。多子器件，没有电导调制效应，有一个近似线性I-V关系，导通压降随着电流增大增大。高耐压的场效应管的漂移区较厚，因此导通电阻较大。导通电阻具有正温度系数，并联时候可以实现自动均流。硅半导体的MOSFET耐压等级为600V以下。这是因为导通压降和耐压的关系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐压等级可以做到1200V。对于高耐压情况，IGBT结合了MOSFET和晶体管的特性，具有MOSFET优异的开关性能和晶体管的静态性能，在1000V~6000V应用场合更受到青睐。

扩展资料

1,测量

极性及管型判断

向左转|向右转

红笔接S,黑笔接D值为(300-800)为N沟道

红笔接D,黑笔接S值为(300-800)为p沟道

如果先没G,D再没S,D会长响,表笔放在G和最短脚相连放电,如果再长响为击穿

贴片场管与三极管难以区分,先按三极管没,如果不是按场管测

场管测量时,最好取下来测,在主板上测量会不准

2,好坏判断

测D,S两脚值为(300-800)为正常,如果显示“0”且长响,场管击穿;如果显示“1”,场管为开路

软击穿(测量是好的,换到主板上是坏的),场管输出不受G极控制。

场效应管开关电路和场效应管开关电路图的问题分享结束啦，以上的文章解决了您的问题吗？欢迎您下次再来哦！